Substrato cerâmico DPC de nitreto de alumínio de alta precisãoEspecificações do produto: Material: Espessura cerâmica de nitreto de alumínio: 0.38 mm Tolerância gráfica: ±0,03 mm Tamanho do produto: 109.2×54,5 mm Tolerância: ±0,05 Distorção: 0.003 Destaques principais de mm/mm: A tecnologia Direct Plating Copper garante padrões gráficos de alta precisão e interconexões de circuitos verticais, Ideal para embalagens densas em dispositivos de comunicação óptica; Exceptional thermal conductivity aids rapid …

High Thermal Conductivity Aluminum Nitride DPC Ceramic SubstrateProduct Specifications: Material: Espessura cerâmica de nitreto de alumínio: 0.38 mm Tolerância gráfica: ±0,03 mm Tamanho do produto: 109.2×54,5 mm Tolerância: ±0,05 Distorção: 0.003 mm/mm Key Features: Ceramic thermal conductivity exceeds 170, ensuring excellent heat transfer and rapid heat dissipation for stable operating temperatures; Manufactured with Direct Plating Copper technology, offering …

Substrato cerâmico DBC de alta confiabilidade para embalagem Especificações do produto: Material: Cerâmica de alumina / Espessura ZTA: 0.32 / 0.635 mm Tolerância gráfica: ±0,03 mm Tamanho do produto: 109.2×54,5 mm Resistência ao descascamento: >5 Força de isolamento N / mm: >15Vantagens do produto K: Emprega tecnologia avançada de cobre de ligação direta para garantir uma união perfeita entre cobre e cerâmica, Oferecendo excelente durabilidade e estabilidade. …

Especificações do produto: Material: Cerâmica de alumina / Espessura ZTA: 0.32 / 0.635 mm Tolerância gráfica: ±0,03 mm Tamanho do produto: 109.2×54,5 mm Resistência ao descascamento: >5 Força de isolamento N / mm: >15K Key Features: Utilizes direct bonding copper technology to achieve a robust chemical bond between copper and ceramic, thereby enhancing thermal conductivity and structural stability. Alumina ceramic offers high …

Drivers IGBT - Alta Eficiência, Plugue de controle inteligente & Jogar · Ampla compatibilidade · Nossos drivers IGBT plug-and-play são projetados para integração perfeita com vários módulos IGBT de alta potência e alta tensão. Seja para pacotes de módulos de potência padrão ou personalizados, Fornecemos soluções de direção sob medida para atender às diversas necessidades de aplicação. Características ✅ principais Plugue & …

FRD/SBD Modules – High-Efficiency Rectification, Stable and Reliable High Voltage Tolerance · Low Leakage Current · Low Resistance · High Current Capacity FRD (Fast Recovery Diode) and SBD (Schottky Barrier Diode) modules offer high voltage tolerance, low leakage current, low forward resistance, and high current capability, making them essential for switching power supplies, PWM pulse …

SiC MOSFET Modules – High-Performance Silicon Carbide Power Solutions Enhanced Efficiency · Reduced Losses · Superior Reliability Our 650V-1700V industrial-grade and automotive-grade SiC power modules are designed for high-efficiency power conversion, widely used in renewable energy, smart grids, veículos elétricos (EVs), industrial automation, and more. Key Advantages ✅ Low-inductance packaging design – Improves switching performance, …

SiC Schottky Diodes – High Efficiency & Reliability Product Overview Our SiC Schottky Diodes offer a voltage range of 650V to 1200V with a full current spectrum, delivering industry-leading performance. Recognized at an international level, our diodes are now being mass-produced and widely adopted in China. Key Features ✅ Positive Temperature Coefficient – Enables easy …

Série SiC MOSFET Introdução ao produto Desenvolveu com sucesso uma série de produtos SiC MOS sob a plataforma de 1200Vvoltage,cujo desempenho atingiu o nível internacional, e tem fornecido em lotes. Características do produto Alta tensão de bloqueio, resistência ultrabaixa, baixa capacitância e comutação de alta velocidade, menos afetado pela temperatura de perda de comutação, Taxa de recuperação reversa interna extremamente baixa, …

  Fluxo do processo de fabricação de dispositivos de energia SiC 1. Objetivo principal da preparação do substrato: Obtenha alta pureza, substratos de cristal único de SiC com baixo defeito. Crescimento de Cristal: O pó de SiC é sublimado e depositado em um cristal de semente através do Transporte Físico de Vapor (PVT) método em >2000°C, formando um lingote de SiC. Processamento de wafer: Corte: Diamond wire saws slice the ingot …

Personalização de cerâmica de precisão AMB: Materiais de alto desempenho, Tailored Solutions In the realms of high technology and precision engineering, material selection is critical. AMB (Active Metal Brazing) ceramics stand out as high-performance materials, renowned for their exceptional thermal conductivity, electrical insulation, and mechanical strength, making them a preferred choice for numerous advanced applications. Our AMB precision …

  Personalização de cerâmica DBC: Desempenho superior, Tailored Solutions In the realms of high technology and precision engineering, material selection is critical. DBC (Direct Bonded Copper) ceramics stand out as a high-performance material, renowned for their exceptional thermal conductivity, electrical insulation, and mechanical strength, making them a preferred choice for numerous advanced applications. Our DBC …